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HIPiMS技術(shù)的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？

HIPiMS（High-Power Impulse Magnetron Sputtering，高功率脈沖磁控濺射）技術(shù)因其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性，在多個(gè)工業(yè)和科學(xué)研究領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。以下是HIPiMS技術(shù)的主要應(yīng)用領(lǐng)域及其具體應(yīng)用實(shí)例：

What are the advantages of PECVD protection technology

PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) is a technique for depositing thin films, widely used in semiconductor manufacturing, solar panel production, display manufacturing, and other fields. Compared with traditional CVD (Chemical Vapor Deposition) technology, PECVD has multiple advantages, especially in terms of protection, as follows:

HiPIMS電源可以沉積氧化物嗎

高功率脈沖磁控濺射（HiPIMS, High Power Impulse Magnetron Sputtering）是一種薄膜沉積技術(shù)，其特點(diǎn)是使用高功率脈沖對(duì)靶材進(jìn)行激發(fā)，以提高濺射過程的離子化程度和沉積速率。

HIPIMS技術(shù)在金屬雙極板涂層中的應(yīng)用

HIPIMS（High Power Impulse Magnetron Sputtering，高功率脈沖磁控濺射）物理 氣相沉積（PVD）技術(shù)，它通過使用高峰值功率和低占空比的脈沖電源來實(shí)現(xiàn)材料的濺射。

hipims脈沖電源控制模式

HIPIMS（High Power Impulse Magnetron Sputtering）脈沖電源控制模式是一種在薄膜沉積技術(shù)中廣泛應(yīng)用電源控制方式。

真空鍍膜時(shí)為什么要用到高純氣體

真空鍍膜時(shí)用到高純氣體的原因，可以歸結(jié)為以下幾點(diǎn)，下面將進(jìn)行詳細(xì)闡述：
一、減少雜質(zhì)影響，提升薄膜質(zhì)量

HiPIMS放電制備純金屬薄膜的優(yōu)勢(shì)

怎樣提高高功率脈沖磁控濺射（HiPIMS）沉積速率？電源、磁場(chǎng)、工藝自身！