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在HiPIMS磁控濺射中能產生高達1000A的峰值電流，能對金屬靶材產生高的離化率，由于脈沖占空比低1-10%，其平均功率與普通磁控濺射一致，不會增加靶材冷卻量。因此HiPIMS技術綜合了磁控濺射低溫沉積，膜層表面光滑特性與電弧離子鍍高離化率，膜基結合力強，膜層致密的優點，在控制涂層微觀組織、降低涂層內應力，增強韌性，提高膜層平整性方面具有顯著優勢。
新鉑HiPIMS技術優勢
新鉑創始人從2008年開始率先在國內開展HiPIMS電源及技術研究，自主開發HiPIMS復合DC電源，同時配合HiPIMS脈沖與脈沖偏壓的同步技術，結合等離子體特點，可精準調控濺射過程中的離子原子比，實現特定膜層結構的控制生長。
1、自主開發HiPIMS復合DC電源技術
定制化高能脈沖復合電源，實現高功率脈沖磁控濺射技術（HiPIMS）的超高密度等離子體產生的高金屬離化率，同時復合直流磁控濺射（DCMS）的高濺射速率，具備快速滅弧（2uS）可控復合波形，可靈活控制濺射材料的離子原子比，實現控制膜層生長，實現高致密性兼顧高沉積速率。
2、HiPIMS與脈沖偏壓脈沖同步技術
HiPIMS電源配合自主開發的80K脈沖偏壓電源，可以靈活調控偏壓電源與HiPIMS電源的脈沖同步，實現對金屬離子精準控制，避免Ar離子等雜質離子對膜層的轟擊，進一步降低膜層應力，增強膜層韌性。
3、HiPIMS特定工藝定制開發能力
針對不同行業的特殊應用，可以基于20年的HiPIMS電源開發及HiPIMS工藝經驗，從材料出發，基于等離子體體底層為客戶定制不同的電源復合波形，配合磁控濺射等離子體源，到量產整機定制，提供整套解決方案。目前已在醫療行業表面改性、陶瓷金屬化、及低損傷DLC、刀具刃口行業實現應用。