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　　PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) 是指等離子體增強化學(xué)的氣相沉積法。等離子體增強化學(xué)氣相沉積是在化學(xué)氣相沉積中，激發(fā)氣體，使其產(chǎn)生低溫等離子體，增強反應(yīng)物質(zhì)的化學(xué)活性，從而進行外延的一種方法。該方法可在較低溫度下形成固體膜。例如在一個反應(yīng)室內(nèi)將基體材料置于陰極上，通入反應(yīng)氣體至較低氣壓(1～600Pa)，基體保持一定溫度，以某種方式產(chǎn)生輝光放電，基體表面附近氣體電離，反應(yīng)氣體得到活化，同時基體表面產(chǎn)生陰極濺射，從而提高了表面活性。在表面上不僅存在著通常的熱化學(xué)反應(yīng)，還存在著復(fù)雜的等離子體化學(xué)反應(yīng)。

　　沉積膜就是在這兩種化學(xué)反應(yīng)的共同作用下形成的。    　

激發(fā)輝光放電的方法主要有：射頻激發(fā)，直流高壓激發(fā)，脈沖激發(fā)和微波激發(fā)。    　　

等離子體增強化學(xué)氣相沉積的主要優(yōu)點：    　　

沉積溫度低，對基體的結(jié)構(gòu)和物理性質(zhì)影響小；膜的厚度及成分均勻性好；膜組織致密、針孔少，不易龜裂；膜層的附著力強；應(yīng)用范圍廣，可制備各種金屬膜、無機膜和有機膜。