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HiPIMS反應濺射特性

HiPIMS電源在高致密性硬質涂層中有很好工業化利用,但是光學應用中的案例還不多,本文將介紹HiPIMS反應濺射模式下的特性。

HiPIMS自組織放電高分辨光譜影像學

因磁場約束,以及超高功率放電,高功率脈沖磁控濺射技術(HiPIMS)在放電過程中會存在局部放電增強而導致輝光閃爍的不穩定現象。當不穩定輝光存在時,其放電狀態也有很大差異,輝光會形成不同的放電組織和斑圖形式。伴隨著這些增強型斑圖輝光放電,其內部粒子成分放電狀態如激發與電離存在差異,如何直觀研究這些變化,高分辨光譜影像學是一種有效的手段,可直觀觀察不穩定區域的放電形式與變化。

直流偏壓對HMDSO制備C:SiOX膜層性能的影響

HMDSO制備C:SiOX膜層具有優異的耐腐蝕性能,上篇講到HMDSO/O2比例對膜層成分,耐腐蝕性能與硬度影響。在整個鍍膜過程中,偏壓也是影響HMDSO制備的C:SiOX膜層性能的因素之一。

鋼管內壁沉積的類金剛石膜層的耐腐蝕性能

類金剛石碳(DLC)涂層具有高耐磨性、摩擦系數極低、耐腐蝕性高的優良性能。由于這些優良的性能,DLC涂層在石油天然氣、半導體、醫療和汽車等行業中引起了廣泛的關注。

HiPIMS反應濺射制備SiO2-Ta2O5光學干涉膜

在Si靶和Ta靶氧反應濺射時,用合適的HiPIMS脈沖參數可以抑制進氣遲滯回線,在沒有氣體控制器下也能保證工藝穩定性。

HiPIMS有無局部離化區的放電對比研究

高功率脈沖磁控濺射技術(HiPIMS)因磁場約束放電,其靶材附近的放電形式變化多樣。放電的不穩定性,等離子體均勻性,等離子體的磁約束情況都是非常值得研究的內容,如等離子體局部離化,電子逃逸等導致的等離子體形狀變化如條形斑圖,環狀斑圖等。

不同前驅體氣體對DLC膜層的影響

在DLC膜層制備的過程中,都會使用到烴類的前驅體氣體,而不同的前驅體對膜層的性能有著不同的影響。

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