HiPIMS技術(shù)制備純金屬薄膜時，靶材的選擇需要考慮哪些因素？

HiPIMS 技術(shù)制備純金屬薄膜時，靶材的選擇需綜合考量多方面因素。

首先是純度，高純度靶材可減少薄膜雜質(zhì)，穩(wěn)定性能與化學(xué)特性，雜質(zhì)過多會使薄膜電學(xué)、光學(xué)等性能劣化。物理性質(zhì)不容忽視，熔點與沸點影響沉積過程，低熔點靶材要控功率防熔化，高熔點的則需權(quán)衡設(shè)備與成本；密度大、硬度高的靶材抗濺射侵蝕能力強，利于保持薄膜均勻性。

化學(xué)性質(zhì)方面，靶材要有良好化學(xué)穩(wěn)定性，避免與氣體、環(huán)境反應(yīng)，且與基底有相容性，確保附著力。尺寸和形狀上，依據(jù)薄膜沉積面積、厚度及應(yīng)用場景選，大尺寸適合大面積制備，不同形狀如圓形、矩形、柱狀分別適配相應(yīng)系統(tǒng)。成本與供應(yīng)也關(guān)鍵，在滿足性能前提下選低成本靶材，同時保障供應(yīng)穩(wěn)定，像常見金屬靶材供應(yīng)足，稀有金屬靶材成本高且供應(yīng)受限需謹(jǐn)慎選用。