耗散功率竟然能影響銅濺射等離子體的行為！

　　本文研究了在銅濺射等離子體中耗散功率對其影響的實驗結果。通過光發射光譜技術進行測量，探討了耗散功率對銅濺射等離子體的物理特性和行為的影響。

　　通過實驗結果發現，耗散功率的增加導致銅濺射等離子體中的電子溫度和密度的增加。此外，還觀察到了濺射過程中的輻射特性和粒子輸運行為的變化。

　　本研究還對銅濺射等離子體中的耗散功率與濺射過程參數之間的關系進行了分析。結果表明，耗散功率與濺射速率和濺射效率之間存在著一定的關聯。此外，還研究了濺射過程中的能量傳輸和粒子輸運機制。如圖1所示，通過改變氬氣/反應氣混合物的組成，可以控制薄膜相組成由金屬Cu變為CuO。

　　圖1. XRD衍射圖，在不同濃度的氬氣/氧氣混合物下獲得的樣品：a 100% Ar + 0% O2, b 90% Ar + 10% O2, c 80% Ar + 20% O2, d 0% Ar + 100% O2。用VESTA軟件模擬a Cu、b Cu2O和c、d CuO相的晶胞.

　　通過改變氬氣/反應氣體混合物的組成，可以控制薄膜的化學計量組成，從金屬Cu到Cu2O和CuO。發射光譜法可以很容易地適應于任何磁控濺射沉積室，而不會干擾真空系統，提供了控制沉積膜的相、透射率和其他參數的可能性，這使得該方法在氧化銅沉積過程中非常有用。

　　Kevin low, Nafarizal nayan, et al. Influence of dissipation power in copper sputtering plasma measured by optical emission spectroscopy, Advanced Materials Research, 832 (2014) 243-