利用HiPIMS制備出的Ti-Si-N薄膜硬度可以達到66GPa！

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　　Ti-Si-N是被認為是一種高硬度的膜層，Veprek（1999）提出了一種結構模型，認為是非晶包含納米晶結構。這有點類似于我們見到的瀝青和石頭混合路面結構。這里的納米晶尺寸和非晶含量的多少是很講究的。太多不行，太少也不行。

　　自從Veprek提出這個PVD涂層硬化模型以后，人們進行了很多嘗試。利用了不同的方法，如多弧、磁控、復合PVD+PECVD方法等等，都得到了很好的效果。

　　HiPIMS（也是誕生于1999年）出現以后，人們利用該高能脈沖磁控也嘗試了Ti-Si-N薄膜的制備。俄羅斯科學家制備出的TiSiN薄膜的硬度可以達到66GPa，這是令人驚奇的。

　　1） Ti-Si-N已經被證明可以具有高硬度、高耐磨特性。

　　2） 高能脈沖磁控技術（HiPIMS）改變了傳統的磁控放電特性，獲得了濺射粒子的高度離化。進一步優化了Ti-Si-N的結構，硬度可以達到66GPa

　　索引文獻的作者們采用了高功率脈沖磁控濺射方法進行放電（實驗室靶的尺寸為100mm直徑，5mm厚度，含Si10%）。放電電流可以到400A。

　　他們的放電電源很好，有一個小的初始放電電流，用于穩定放電。這與哈工大研究的DC+PulseHiPIMS是相似的。高能脈沖放電確實有效果，等離子體中有2價的Ti和Ar離子，而且離子的峰位都很高（見下圖）。這會改變膜層的轟擊動力學。

　　索引文獻的作者們采用了高功率脈沖磁控濺射方法進行放電（實驗室靶的尺寸為100mm直徑，5mm厚度，含Si10%）。放電電流可以到400A。

　　他們的放電電源很好，有一個小的初始放電電流，用于穩定放電。這與哈工大研究的DC+PulseHiPIMS是相似的。高能脈沖放電確實有效果，等離子體中有2價的Ti和Ar離子，而且離子的峰位都很高（見下圖）。這會改變膜層的轟擊動力學。

在160A的脈沖電流下沉積的膜層元素含量為：Ti （約41%）、Si(約5%)和N（約55%），膜層沉積了1.2um，膜層的硬度達到了66GPa，而且摩擦系數也很低，僅有0.54。大大提高了耐磨性。